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申请/专利权人：山东大学
摘要：本发明公开了一种具有元素掺杂金刚石改质层的复合衬底及半导体器件，属于半导体材料复合衬底制造技术领域。在金刚石衬底表面光刻出第一离子注入区和非离子注入区；多个非离子注入区间隔设置，相邻两个非离子注入区之间设置第一离子注入区；将晶格常数大于金刚石的元素离子注入第一离子注入区，形成改质层，经高温激活、表面加工后得到具有元素掺杂金刚石改质层的复合衬底。本发明充分发挥了金刚石衬底出色的热导性，通过交错离子注入的元素掺杂对金刚石衬底进行改质，形成交叠的张应力缓冲层和压应力缓冲层，进而缓解键合界面产生的热应力失配问题；通过采用元素掺杂金刚石改质层代替传统微结构设计解决热应力问题，增加了有效键合面积，显著提升了晶圆的键合强度。
主权项：1.一种具有元素掺杂金刚石改质层的复合衬底的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：利用光刻技术在金刚石衬底表面形成第一离子注入区和非离子注入区；多个非离子注入区间隔设置，相邻两个非离子注入区之间设置第一离子注入区；将晶格常数大于金刚石的元素离子注入第一离子注入区，形成元素掺杂金刚石改质层；对元素掺杂金刚石改质层高温激活；将高温激活后的元素掺杂金刚石改质层进行加工，得到具有元素掺杂金刚石改质层的复合衬底。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 山东大学 一种具有元素掺杂金刚石改质层的复合衬底及半导体器件
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