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申请/专利权人：硅存储技术股份有限公司

摘要：一种方法包括：使第一区域和第二区域中的衬底的上表面相对于第三区域凹入；在该第一区域中形成第一导电层；在三个区域中形成第二导电层；选择性地去除该第一区域中的该第一导电层和该第二导电层，同时保留该第二区域和该第三区域中的该第二导电层；在该第一区域中留下分别具有该第二导电层的控制栅和该第一导电层的浮栅的堆叠结构对；在该三个区域中形成第三导电层；使该第三导电层的上表面凹入到该堆叠结构的顶部下方并从该第二区域和该第三区域去除该第三导电层；从该第二区域和该第三区域去除该第二导电层；以及在该第二区域和该第三区域中形成金属材料块。

主权项：1.一种形成半导体器件的方法，所述方法包括：提供半导体材料的衬底，所述半导体材料的衬底包括第一区域、第二区域和第三区域；使所述第一区域中的所述衬底的上表面和所述第二区域中的所述衬底的上表面相对于所述第三区域中的所述衬底的上表面凹入；形成第一导电层，所述第一导电层设置在所述第一区域、所述第二区域和所述第三区域中的所述上表面上方并且与所述上表面绝缘；从所述第二区域和所述第三区域去除所述第一导电层；在所述第一区域中的所述第一导电层上以及在所述第二区域和所述第三区域中的所述上表面上方形成绝缘层；在所述第一区域、所述第二区域和所述第三区域中的所述绝缘层上形成第二导电层；执行一种或多种蚀刻以选择性地去除所述第一区域中的所述第一导电层和所述第二导电层的部分，同时保留所述第二区域和所述第三区域中的所述第二导电层，其中所述一种或多种蚀刻导致在所述第一区域中形成堆叠结构对，其中相应堆叠结构包括所述第二导电层的控制栅，所述第二导电层的所述控制栅设置在所述第一导电层的浮栅上方并且与所述第一导电层的所述浮栅绝缘；在所述第一区域的所述衬底中形成第一源极区，相应第一源极区设置在相应堆叠结构对之间；形成第三导电层，所述第三导电层设置在所述第一区域中以及所述第二区域和所述第三区域中的所述堆叠结构上方以及所述堆叠结构之间；执行化学机械抛光或回蚀以平面化所述第三导电层的上表面；执行蚀刻以使所述第三导电层的所述上表面凹入到所述第一区域中的所述堆叠结构的顶部下方，并且从所述第二区域和所述第三区域去除所述第三导电层，从而留下所述第三导电层的分别设置在所述第一区域中的所述第一源极区中的一个第一源极区上方并且与所述一个第一源极区绝缘的多个擦除栅；从所述第二区域和所述第三区域去除所述第二导电层；在从所述第二区域和所述第三区域去除所述第二导电层之后，形成伪导电材料块，所述伪导电材料块设置在所述第二区域和所述第三区域中的所述上表面上方并且与所述上表面绝缘；在所述第二区域和所述第三区域中形成所述伪导电材料块之后，蚀刻所述第一区域中的所述第三导电层的部分以形成所述第三导电层的多个选择栅，每个选择栅邻近所述堆叠结构中的一个堆叠结构设置；在所述第一区域的所述衬底中形成第一漏极区，所述第一漏极区分别邻近所述选择栅中的一个选择栅；在所述衬底中形成第二源极区，所述第二源极区分别邻近所述第二区域中的所述伪导电材料块中的一个伪导电材料块；在所述衬底中形成第二漏极区，所述第二漏极区分别邻近所述第二区域中的所述伪导电材料块中的一个伪导电材料块；在所述衬底中形成第三源极区，所述第三源极区分别邻近所述第三区域中的所述伪导电材料块中的一个伪导电材料块；在所述衬底中形成第三漏极区，所述第三漏极区分别邻近所述第三区域中的所述伪导电材料块中的一个伪导电材料块；以及用金属材料块替换所述第二区域和所述第三区域中的所述伪导电材料块。

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百度查询： 硅存储技术股份有限公司 在半导体衬底上形成存储器单元、高电压器件和逻辑器件的方法