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申请/专利权人：三星电子株式会社
摘要：提供一种半导体存储器装置。半导体存储器装置包括：衬底，其包括有源区；元件隔离膜，其设置在衬底中并且限定有源区；凹部，其设置在有源区中并且在第一方向上延伸；以及栅极结构，其在有源区上在第二方向上延伸，其中，栅极结构包括顺序地堆叠的栅极绝缘膜、栅极堆叠图案和栅极封盖图案，其中，栅极绝缘膜沿着有源区的上表面延伸，并且栅极绝缘膜的一部分填充凹部，并且其中，从衬底的下表面到元件隔离膜的底表面的高度小于从衬底的下表面到凹部的底表面的高度。
主权项：1.一种半导体存储器装置，包括：衬底，其包括有源区；元件隔离膜，其设置在所述衬底中并且限定所述有源区；凹部，其设置在所述有源区中并且在第一方向上延伸；以及栅极结构，其在所述有源区上在第二方向上延伸，其中，所述栅极结构包括顺序地堆叠的栅极绝缘膜、栅极堆叠图案和栅极封盖图案，其中，所述栅极绝缘膜沿所述有源区的上表面延伸，并且所述栅极绝缘膜的一部分填充所述凹部，并且其中，从所述衬底的下表面到所述元件隔离膜的底表面的高度小于从所述衬底的下表面到所述凹部的底表面的高度。
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