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申请/专利权人：南方科技大学
摘要：本发明公开了一种双栅晶体管存储单元、数据读写方法、制作方法及存储器，其中，双栅晶体管存储单元包括：第一栅极；第一介电层，设置在所述第一栅极的顶面；沟道层，设置在所述第一介电层的顶面；源极与漏极，所述源极与所述漏极设置在所述第一介电层的顶面并位于所述沟道层两侧；其中，所述第一介电层包括铁电层，所述铁电层位于所述源极与所述漏极的底面；第二介电层，设置在所述沟道层的顶面；第二栅极，设置在所述第二介电层的顶面。本发明采用一个晶体管作为存储单元，消除了存储电容限制存储单元缩小面积的缺陷，使得铁电存储器可以很好的应用在三维集成技术中。
主权项：1.一种双栅晶体管存储单元，其特征在于，包括：第一栅极；第一介电层，设置在所述第一栅极的顶面；沟道层，设置在所述第一介电层的顶面；源极与漏极，所述源极与所述漏极设置在所述第一介电层的顶面并位于所述沟道层两侧；其中，所述第一介电层包括铁电层和绝缘层，所述铁电层位于所述源极与所述漏极的底面，所述铁电层用于进行数据存储，通过调整所述铁电层的厚度可以实现多比特位信息的存储；所述绝缘层设置在所述铁电层与所述第一栅极之间，或者，所述绝缘层设置在所述铁电层远离所述第一栅极的一侧，以防止漏电流过大；所述第一介电层直接与所述源极、所述漏极以及所述第一栅极接触，当所述第一栅极状态发生变化时，所述第一介电层可以直接根据所述第一栅极的变化而改变自己的状态；第二介电层，设置在所述沟道层的顶面；第二栅极，设置在所述第二介电层的顶面；在写入数据时，通过向第一栅极施加开启电压，以打开栅极管，并在所述源极上施加电压进行数据写入，因所述铁电层在所述源极的底面，所述铁电层受所述源极施加的电压的作用下发生自发极化，能够将写入的数据进行存储；在进行数据读取时，所述第一栅极不施加电压，所述源极不施加电压，所述第二栅极施加电压，此时通过读取双栅晶体管的电容-电压曲线，即可确定此刻双栅晶体管存储单元中的数据状态，根据该数据状态即可达到数据读取的目的。
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百度查询： 南方科技大学 双栅晶体管存储单元、数据读写方法、制作方法及存储器
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