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申请/专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
摘要：本发明提供一种深沟槽隔离的制造方法，提供P型的衬底，在衬底表面进行N型杂质注入形成N型的埋层，在衬底上形成P型的外延层，利用离子注入在外延层上形成N型的深阱；在深阱上形成浅沟槽隔离以定义出有源区，形成深沟槽，深沟槽自浅沟槽的隔离的上表面延伸至衬底上；在深沟槽内进行斜角的离子注入，之后进行热扩散，在深沟槽的表面形成N型掺杂层；利用离子注入在深沟槽的底部形成P型掺杂层，之后形成填充深沟槽的深沟槽隔离；利用光刻定义出阱注入区域，利用离子注入形成N阱，之后在N阱上形成N型重掺杂区。本发明提高了深沟槽隔离的PN结击穿电压，避免寄生BJTN型的埋层P型的衬底N型的埋层的开启。
主权项：1.一种深沟槽隔离的制造方法，其特征在于，包括：步骤一、提供P型的衬底，在所述衬底表面进行N型杂质注入形成N型的埋层，在所述衬底上形成P型的外延层，利用离子注入在所述外延层上形成N型的深阱；步骤二、在所述深阱上形成浅沟槽隔离以定义出有源区，形成深沟槽，所述深沟槽自所述浅沟槽的隔离的上表面延伸至所述衬底上；步骤三、在深沟槽内进行斜角的离子注入，之后进行热扩散，在所述深沟槽的表面形成N型掺杂层；步骤四、利用离子注入在所述深沟槽的底部形成P型掺杂层，之后形成填充所述深沟槽的深沟槽隔离；步骤五、利用光刻定义出阱注入区域，利用离子注入形成N阱，之后在所述N阱上形成N型重掺杂区。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海华虹宏力半导体制造有限公司 深沟槽隔离的制造方法
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