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申请/专利权人：武汉楚兴技术有限公司
摘要：本申请提供一种薄膜制造设备及薄膜制造方法，该设备包括反应腔室、基座、第一进气口、第二进气口和第一管路，基座位于反应腔室内部；基座的表面具有通道，通道包括至少一个凹槽；第一进气口用于向反应腔室通入解离气体；第二进气口用于向反应腔室通入反应气体；第一管路位于基座内部，且与通道相连，用于通过通道向反应腔室通入反应气体。补偿晶圆边缘的反应气体浓度，提高晶圆边缘薄膜内反应元素的含量，提高晶圆表面薄膜的元素组成比例的一致性，从而提高器件的稳定性和一致性。
主权项：1.一种薄膜制造设备，其特征在于，所述设备包括反应腔室、基座、第一进气口、第二进气口和第一管路；所述基座位于所述反应腔室内部；所述基座的表面具有通道，所述通道包括至少一个凹槽；在水平方向上，至少一个所述凹槽从所述基座的第一端延伸至所述基座的第二端；所述第一进气口位于所述反应腔室的侧壁，用于向所述反应腔室通入解离气体；所述第二进气口位于所述反应腔室的侧壁，用于向所述反应腔室通入反应气体；所述第一管路位于所述基座内部，且与所述通道相连，用于通过所述通道向所述反应腔室通入所述反应气体。
全文数据：
权利要求：
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