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申请/专利权人：湖南理工学院
摘要：本发明属于薄膜LED芯片器件技术领域，公开了一种薄膜LED芯片器件及其制造方法，本发明采用新型的高性能材料和先进的制备工艺，使薄膜LED芯片器件在亮度、对比度、色彩饱和度等方面均得到显著提升。同时，由于材料性能的提高，器件的功耗也得到有效降低。通过优化器件结构和封装工艺，以及引入智能温控系统，使薄膜LED芯片器件在长时间使用过程中能够保持稳定的性能输出。此外，器件的防水、防尘等性能也得到显著提升。优化后的薄膜LED芯片器件不仅适用于传统的显示领域，还可广泛应用于柔性显示、可穿戴设备、智能家居等新兴领域。其超薄、高亮、高对比度的特性将为用户带来更加出色的视觉体验。
主权项：1.一种薄膜LED芯片器件制造方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1，采用稀土元素镧掺杂的氧化锌ZnO:La作为薄膜LED芯片器件的主要构成材料，以提高器件的电导率、发光效率和热稳定性；步骤2，运用脉冲激光沉积PLD技术作为先进的薄膜生长技术，在沉积过程中引入激光图案化技术，通过精确控制激光束的形状和强度，在薄膜上形成预定的图案化结构，并采用具有高透光率和高热导率的氮化铝AlN作为封装材料，结合超声波焊接工艺，实现器件的高效封装；步骤3，通过设计具有多层结构的器件结构，包括散热层、发光层和保护层，并采用低热阻的封装工艺，将智能温控系统集成到器件中，该智能温控系统包括集成在器件内部的温度传感器和与温度传感器连接的微控制器，微控制器根据温度传感器的实时监测数据，自动调整器件的工作电流或工作电压，以保持器件的工作温度在预定范围内，从而保证器件在不同工作环境下的稳定性和延长使用寿命。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 湖南理工学院 薄膜LED芯片器件及其制造方法
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