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申请/专利权人：三星电子株式会社
摘要：一种半导体器件包括：基板；第一下图案，在基板上；第二下图案，在第一下图案上；沟道图案，在第二下图案上；第一场绝缘层，在第一下图案的第一侧表面上；第二场绝缘层，在第一下图案的第二侧表面上；掩埋绝缘结构，在第一场绝缘层上并且在沟道图案的侧表面上；保护层，在第二场绝缘层上；源极漏极图案，在每个沟道图案的相反两侧；以及栅电极，在沟道图案和掩埋绝缘结构周围延伸，其中保护层包括：在第一下图案和第二下图案之间以及在栅电极和第二场绝缘层之间的保护绝缘层；以及在保护绝缘层周围延伸的保护衬垫。
主权项：1.一种半导体器件，包括：基板；第一下图案，在所述基板上；第二下图案，在所述第一下图案上；沟道图案，在所述第二下图案上；第一场绝缘层，在所述第一下图案的第一侧表面上；第二场绝缘层，在所述第一下图案的第二侧表面上；掩埋绝缘结构，在所述第一场绝缘层上并且在所述沟道图案的侧表面上；保护层，在所述第二场绝缘层上；源极漏极图案，在每个所述沟道图案的相反两侧；以及栅电极，在所述沟道图案的至少一些部分和所述掩埋绝缘结构的至少一些部分周围延伸，其中所述保护层包括：保护绝缘层，在所述第一下图案和所述第二下图案之间以及在所述栅电极和所述第二场绝缘层之间；以及保护衬垫，在所述保护绝缘层周围延伸。
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