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申请/专利权人：YC化学制品株式会社
摘要：本发明涉及一种在半导体光刻工艺中有用的、具有高平坦化性能的旋涂式碳硬掩膜组合物及利用其的图案化方法。根据本发明的组合物包括3',6'‑二羟基‑3H‑螺[2‑苯并呋喃‑1,9'‑呫吨]‑3‑酮衍生聚合物、有机溶剂及表面活性剂，具有表现出优异的溶解度和均匀的涂覆性能、能够承受多重蚀刻multietch过程的高耐蚀刻性、优异的机械特性及高平坦化特性的优异效果。
主权项：1.一种具有高平坦化特性的旋涂式硬掩膜组合物，其中，包括由下述化学式1表示的3',6'-二羟基-3H-螺[2-苯并呋喃-1,9'-呫吨]-3-酮衍生聚合物、有机溶剂及表面活性剂；[化学式1] 上述式中，l、m、n分别在1≤l≤20、1≤m≤40、1≤n≤20的范围，R1包括氢H、羟基OH、酮基CO、醚基COC、醛基CHO、中的任一个，R2包括中的任一个，R3包括氢H、羟基OH、中的任一个。
全文数据：
权利要求：
百度查询： YC化学制品株式会社 具有高平坦化性能的旋涂式碳硬掩膜组合物及利用其的图案化方法
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