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申请/专利权人：中国电子科技集团公司第二十六研究所
摘要：本发明公开了一种生长大尺寸板状Ce:Yb:YAG单晶的方法，具体包括如下步骤：步骤1：将CeO2、Yb2O3、Y2O3和Al2O3按配比混合均匀，装入压料模具中将其压制成原料块；步骤2：将原料块放入带有籽晶槽的坩埚中，并在坩埚内的籽晶槽中加入籽晶，随后将坩埚放入水平定向晶体生长炉的加热器中；步骤3：晶体生长炉内处于真空状态下，升温至原料完全熔化；步骤4：原料熔化后，从引晶点处到放肩结束位置处，坩埚的移动速度从0～1mmh逐渐增加到1～3mmh；坩埚开始移动的同时，通过加料机构将CeO2添加至熔体中；步骤5：待坩埚完全移出加热器后，完成Ce:Yb:YAG晶体的生长，随后冷却至室温，关闭真空，得到所述大尺寸板状Ce:Yb:YAG单晶。
主权项：1.一种生长大尺寸板状Ce:Yb:YAG单晶的方法，其特征在于，具体包括如下步骤：步骤1：将CeO2、Yb2O3、Y2O3和Al2O3按配比混合均匀，装入压料模具中将其压制成原料块；步骤2：将原料块放入带有籽晶槽的坩埚中，并在坩埚内的籽晶槽中加入籽晶，随后将坩埚放入水平定向晶体生长炉的加热器中；步骤3：晶体生长炉内处于真空状态下，升温至原料完全熔化；步骤4：原料熔化后，从引晶点处到放肩结束位置处，坩埚的移动速度从0～1mmh逐渐匀速增加到1～3mmh；坩埚开始移动的同时，通过加料机构将CeO2添加至熔体中；步骤5：待坩埚完全移出加热器后，完成Ce:Yb:YAG晶体的生长，随后冷却至室温，关闭真空，得到所述大尺寸板状Ce:Yb:YAG单晶。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国电子科技集团公司第二十六研究所 一种生长大尺寸板状Ce:Yb:YAG单晶的方法
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