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申请/专利权人：江苏大学

摘要：本发明属于光电化学以及分析检测技术领域，公开了一种双过渡金属氮化物异质结修饰石墨相氮化碳基光电化学适配体传感器的制备方法和用途。本发明将双过渡金属氮化物异质结修饰在g‑C3N4表面，在过渡金属氮化物中，氮原子的引入造成金属结构的晶格扩张，在界面处产生强电荷空间区域，提高电荷浓度，从而加速g‑C3N4材料的电子转移。过渡金属之间具有强电子相互作用，将两种过渡金属氮化物构筑异质结，其内部电场的形成使得异质界面产生高密度电荷，这可以促使g‑C3N4材料产生更多的载流子。此外，将异质结构引入至g‑C3N4表面，可作为光生电荷的高效传输路径，促进了g‑C3N4上光生载流子的有效分离，进而进一步提升材料的光电性能，最终提高传感器的灵敏度。

主权项：1.一种双过渡金属氮化物异质结修饰石墨相氮化碳基光电化学适配体传感器的构建方法，其特征在于，步骤如下1g-C3N4材料的制备：称取一定量的碳氮源于加盖坩埚中通过一步煅烧法得到g-C3N4；2双过渡金属氮化物异质结修饰g-C3N4材料的制备首先，按比例将过渡金属盐1、过渡金属盐2、尿素与铵盐溶于去离子水中，充分溶解，得到溶液A；其次，称取步骤1所得的g-C3N4粉末溶于去离子水中，充分分散，得到溶液B；在持续搅拌的情况下，将溶液B匀速滴加至溶液A中，并将该混合液转入聚四氟乙烯内衬的反应釜中，进行恒温水热反应，反应结束后，取出反应釜并自然冷却至室温；将样品进行离心，经过数次水洗和醇洗，并于真空干燥，得到双过渡金属LDHg-C3N4前驱体；然后，称取一定量的双过渡金属LDHg-C3N4前驱体在管式炉中通氨气煅烧得到双过渡金属异质结g-C3N4材料；3双过渡金属氮化物异质结修饰g-C3N4-ITO电极的制备：将一定量的双过渡金属氮化物异质结g-C3N4复合材料分散于去离子水中，超声分散均匀，得到稳定的悬浊液；然后将悬浊液滴涂于ITO导电玻璃表面，自然干燥后，去离子水冲洗并室温晾干，即得到双过渡金属氮化物异质结g-C3N4-ITO电极DTMNHg-C3N4-ITO；4DTMNHg-C3N4适配体aptamer-ITO电极的制备：取多菌灵适配体、氧乐果适配体或丙溴磷适配体滴涂于步骤3制备的DTMNHg-C3N4-ITO光电极表面上，室温孵育一定时间后，用去离子水冲洗电极表面未锚定的适配体并室温晾干，即得到DTMNHg-C3N4aptamer-ITO光电极传感器。

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