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申请/专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
摘要：本发明提供一种改善刻蚀缺陷的方法，提供衬底，衬底上形成有第一金属层以及形成于第一金属层上的第二金属层；在第二金属层上形成光刻胶层，光刻打开部分光刻胶层使得其下方的第二金属层裸露，调节光刻胶去除机台的温度，使得第一、二金属层的接触面处形成为金属间化合物；利用湿法刻蚀去除裸露的第二金属层，之后干燥处理衬底，使得第一、二金属层上的溶液去除；利用灰化工艺去除光刻胶层，使得第一、二金属层上残留的溶液去除；清洗衬底，之后干燥处理衬底。本发明在金属层刻蚀前进行烘烤热处理，释放热应力；并在刻蚀后加强干燥处理，清除因金属层间反应而产生的空洞内的残留酸液，阻止残留酸液的进一步刻蚀反应，从而改善鼠咬缺陷。
主权项：1.一种改善刻蚀缺陷的方法，其特征在于，至少包括：步骤一、提供衬底，所述衬底上形成有第一金属层以及形成于所述第一金属层上的第二金属层；步骤二、在所述第二金属层上形成光刻胶层，光刻打开部分所述光刻胶层使得其下方的所述第二金属层裸露，之后调节光刻胶去除机台的温度为150至180摄氏度，使得裸露的所述第二金属层与其下方的所述第一金属层的接触面处形成为金属间化合物；步骤三、利用湿法刻蚀去除裸露的所述第二金属层，之后干燥处理所述衬底，使得第一、二金属层上的溶液去除；步骤四、利用灰化工艺去除所述光刻胶层，用于所述灰化工艺中的电炉中通入的气体为H2N2和O2，以200至400SCCM的H2N2、2500至3500SCCM的O2通入所述电炉，用于所述灰化工艺中的电炉的功率为1000至1400瓦，使得所述第一、二金属层上残留的溶液去除；步骤五、清洗所述衬底，之后干燥处理所述衬底。
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