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申请/专利权人：深圳市德方纳米科技股份有限公司
摘要：本申请公开了一种改性锰基正极材料及其制备方法和应用。本申请改性锰基正极材料包括掺杂锰基正极材料，掺杂锰基正极材料含有铁元素和氧元素，还含有离子半径小于铁离子半径的金属掺杂元素和氟元素，且氟元素掺杂在锰基正极材料的颗粒表层的氧位。该改性锰基正极材料通过比铁离子半径小的金属掺杂元素与F元素对锰基正极材料进行协同掺杂，使得掺杂锰基正极材料晶格中Mn元素周围的电子云密度得到有效增加，明显抑制了Mn3+的晶格畸变，显著降低了Mn2+的溶出，同时还提升了掺杂锰基正极材料的电子导电性和晶格氧的氧化还原稳定性。
主权项：1.一种改性锰基正极材料，其特征在于：包括掺杂锰基正极材料，所述掺杂锰基正极材料含有铁元素和氧元素，还含有金属掺杂元素和氟元素；其中，所述金属掺杂元素取代铁位，且其离子半径小于铁离子半径；所述氟元素掺杂在所述锰基正极材料的颗粒表层中，并取代氧位。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 深圳市德方纳米科技股份有限公司 改性锰基正极材料及其制备方法和应用
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