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申请/专利权人：重庆大学

摘要：本发明涉及一种真空低温复合还原炼镁及还原剂再生的镁冶炼方法，包括以下步骤：以退役光伏板、切削废硅和绿色铝或废铝作为原料制备铝硅合金还原剂；将制备的铝硅合金与氧化镁或煅烧菱镁矿均匀混合后放置于高温炉中进行真空低温复合还原，获得粗镁；将炼镁产生的炉渣与碳质还原剂混合后放置于真空熔炼炉中进行碳热还原制备铝硅合金还原剂，实现还原剂再生。采用铝硅合金真空复合热还原工艺，增强了还原剂的还原能力和化学反应驱动力，降低了还原起始温度，并能够将镁还原度增加至90％及以上；同时，炼镁产生的炉渣也可作为制备铝硅合金的原料，实现还原剂原料‑产物‑原料循环使用，降低生产成本。

主权项：1.一种真空低温复合还原炼镁及还原剂再生的镁冶炼方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：将退役光伏板、切削废硅、铝原料按照0.1-0.3:0.2-0.6:0.3-0.5的质量比投入熔炼炉中，在惰性气氛下加热进行熔融，随后取出快速淬火，获得成分均匀的铝硅合金作为还原剂，铝硅合金中铝和硅的质量比控制在0.3-0.5:0.5-0.7范围内，熔炼温度为1450-1550℃，熔炼时间2-4小时；S2：将S1制备的铝硅合金破碎后与氧化镁原料混合放置于高温炉中，随后将炉管抽真空并加热进行真空低温复合还原，其中，铝硅合金与氧化镁原料的配比为质量比0.5-0.6:1，真空度为10-100Pa，还原温度为1100-1200℃，还原时间为6-8h；S3：反应结束后，收集粗镁，根据铝硅合金与氧化镁原料构成的样品中初始镁含量和真空低温复合还原后固态渣中镁含量的差值计算镁的还原度，还原度的计算公式如下，其中m0-1是样品初始质量，m1是真空低温复合还原后固态渣质量； 其中，αMg表示样品中镁的还原度；S4：将S2真空低温复合还原后产生的固态渣破碎并与碳质还原剂混合后放置于真空熔炼炉中，抽真空后将固态渣和碳质还原剂形成的混合物加热，进行碳热还原反应，实现还原剂再生，其中碳质还原剂与固态渣的质量配比定为0.40-0.45，真空度为10-1000Pa，还原温度为1400-1700℃，还原时间为2-4h；S5：碳热还原反应结束后，渣金分离获得铝硅合金锭，计算铝硅合金的还原度，还原度公式如下，其中m0-2是镁还原反应后收得的固态渣质量，m2是碳热还原反应后剩余的炉渣质量； 其中，αAl-Si表示从S2真空低温复合还原后产生的固态渣中回收的铝硅合金，即铝硅合金的还原度。

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