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申请/专利权人：华东师范大学

摘要：本发明公开了一种基于相变材料的多端口C型射频开关，所述的多端口C型射频开关是在Si‑SiO2衬底上通过单片集成SPST相变射频开关所制备的，具有四个端口。多端口C型射频开关自下而上包括依次设置的衬底层、底电极层、相变开关功能层、顶电极层、钝化层和射频传输层。与SPnT相变射频开关相比，使用多端口C型射频开关作为基本的构建块，可减少可重构射频系统所需的开关总数，以简化系统设计，增加系统的灵活性。

主权项：1.一种基于相变材料的多端口C型射频开关，其特征在于，所述多端口C型射频开关由下至上依次包括：Si-SiO2基底、底电极层、相变薄膜材料层、顶电极层、钝化层及射频传输层，具有两个输入端口和两个输出端口；其制备包括以下步骤：步骤1：Si-SiO2基衬底的预处理对Si-SiO2基衬底进行清洗和吹干；清洗过程是将Si-SiO2基衬底先在乙醇溶液中超声清洗5-20分钟，再在丙酮溶液中超声清洗5-20分钟，最后用去离子水超声清洗5-20分钟；吹干过程是将超声清洗完毕后的Si-SiO2基衬底使用高纯氮气吹干；步骤2：制备底电极层在经步骤1预处理的Si-SiO2基衬底上旋涂光刻胶后，利用电子束曝光图案化两个底电极作为输入端口和下一层套刻的十字标记，紧接着通过磁控溅射沉积2-10nm厚的Cr和40-100nm厚的Au，用丙酮溶液浸泡去胶清洗除去多余的材料，获得两个输入端口；步骤3：制备相变薄膜材料层在底电极层上旋涂光刻胶，根据十字标记对准进行电子束曝光套刻图案化相变材料层，然后沉积50-200nm厚的相变薄膜材料，用丙酮溶液浸泡去胶清洗除去多余的材料，获得相变薄膜材料层；步骤4：制备顶电极层在相变薄膜材料层上旋涂光刻胶，根据十字标记对准进行电子束曝光套刻图案化两个顶电极作为输出端口，通过磁控溅射沉积50-150nm厚的金属层，用丙酮溶液浸泡去胶清洗除去多余的材料，获得两个输出端口；步骤5：制备钝化层在顶电极层上旋涂光刻胶，根据十字标记对准进行电子束曝光套刻图案化钝化层，磁控溅射沉积100-250nm厚的钝化层薄膜，用丙酮溶液浸泡去胶清洗除去多余的材料，获得钝化层；步骤6：制备射频传输层在钝化层上旋涂光刻胶，根据十字标记对准进行电子束曝光套刻图案化射频传输层，磁控溅射沉积5-10nm的Cr和100-500nm厚的Au作为射频传输层，用丙酮溶液浸泡去胶清洗除去多余的材料，获得所述基于相变材料的多端口C型射频开关。

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