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申请/专利权人:上海中欣晶圆半导体科技有限公司
摘要:本发明涉及一种FZ单晶硅抛光片加工清洗装置及清洗方法,旨在降低加工过程中的碎片率,提高加工质量和成功率。该装置主要包括清洗槽、定位棍、洗净机和机械手等部分。清洗槽采用隔槽放片结构,通过增大片间距来减少薄片斜片和碎片问题;定位棍上设有定位槽,采用PFA材质以减少对硅片倒角的损伤,并提升与机械臂的匹配性;清洗槽内还设有缓冲垫以减少振动和碰撞;机械手上设置吸盘式夹取装置以增强夹取稳定性。本清洗方法通过调整清洗工艺参数,如纯水溢流量和去蜡活性剂药液槽的超声波挡位,以及机械手的微调机构,确保准确抓取FZ单晶硅抛光片,避免错槽和叠片。本发明使得FZ单晶硅抛光片的加工碎片率显著降低,加工质量和成功率得到大幅提升。
主权项:1.一种FZ单晶硅抛光片加工清洗装置,其特征在于,包括:清洗槽,所述清洗槽采用隔槽放片结构,包括多个平行的间隔区域,每个间隔区域均设置有放片槽,相邻的两FZ单晶硅抛光片之间间隔一放片槽,以增加片间距;定位棍,设置在清洗槽内,用于精确定位FZ单晶硅抛光片;洗净机,与清洗槽连接,用于对FZ单晶硅抛光片进行清洗;机械手,与洗净机配合,用于夹取FZ单晶硅抛光片,所述机械手设置有微调机构,能够根据FZ单晶硅抛光片的不同厚度和尺寸调整夹取角度、夹取力度以及夹取路径。
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