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摘要：本发明涉及一种硫脲辅助负载铜电催化剂的高性能CuO光电阴极薄膜及其制备方法和应用，属于光电化学技术领域。制备方法包括如下步骤：将铜箔浸于NaOH和过硫酸钾的混合溶液中，通过湿化学氧化法将前驱体CuOH2纳米线生长在铜箔上，然后制备混有CuCl2和硫脲的乙二醇单甲醚溶液，用浸渍法在CuOH2纳米线薄膜上负载金属铜电催化剂前驱体，退火处理后最终制得硫脲辅助负载铜电催化剂的高性能CuO光电阴极薄膜CuOCu光电阴极薄膜。本发明制备的CuOCu光电阴极薄膜，能够使得电子空穴对有效分离，降低电子空穴的复合率，进而可以有效的提高光电化学性能，达到高效地分解水的目的。在光电化学分解水方面具有很大的开发与应用前景。
主权项：1.一种硫脲辅助负载铜电催化剂的高性能CuO光电阴极薄膜，其特征在于，其制备方法包括如下步骤：1将氢氧化钠和过硫酸钾溶于去离子水中，将纯度为99.9％的铜箔置入其中通过湿化学氧化法得到前驱体CuOH2纳米线薄膜；2将CuCl2和硫脲溶于乙二醇单甲醚中，得到混有CuCl2和硫脲的乙二醇单甲醚溶液；3将步骤1得到的CuOH2纳米线薄膜在混有CuCl2和硫脲的乙二醇单甲醚溶液中浸渍处理，得到的负载有铜电催化剂前驱体的CuOH2纳米线薄膜在管式炉中进行退火处理，最终得到致密的CuOCu光电阴极薄膜。
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百度查询： 辽宁大学 一种硫脲辅助负载铜电催化剂的高性能CuO光电阴极薄膜及其制备方法和应用
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