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申请/专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所

摘要：本发明涉及航天应用成像技术领域，尤其涉及一种负压大灌电流供电单元及TDICMOS成像系统的低负压供电方法，负压大灌电流供电单元包括第一正压供电LDO、第二正压供电LDO、负压供电LDO、模拟开关和DDR3供电芯片。本发明通过DDR3供电芯片实现大的灌电流，通过将DDR3供电芯片的接地端连接到负压供电LDO输出的负电压上，实现低压且是负压的灌电流，通过对正压供电LDO的使能管脚进行开关控制和对负压供电LDO的使能管脚进行开关控制，从而实现不同的电平转换；通过设计新的探测器的上电时序而避免出现大工作电流。

主权项：1.一种负压大灌电流供电单元，其特征在于，包括第一正压供电LDO、第二正压供电LDO、负压供电LDO、模拟开关和DDR3供电芯片；其中，第一正压供电LDO的EN1管脚接入成像控制器输出的EN1使能信号，第一正压供电LDO的VIN管脚接入电源转换电路输出的+VCCA1电压，第一正压供电LDO的VOUT管脚输出+VCC1电压；第二正压供电LDO的EN2管脚接入成像控制器输出的EN2使能信号，第二正压供电LDO的VIN管脚接入电源转换电路输出的+VCCA2电压，第二正压供电LDO的VOUT管脚输出+VCC2电压；负压供电LDO的EN3管脚接入成像控制器输出的EN3使能信号，负压供电LDO的VIN管脚接入电源转换电路输出的-VCCA3电压，负压供电LDO的VOUT管脚输出-VEE电压；模拟开关的A管脚接入成像控制器输出的EN4使能信号，模拟开关的S1管脚接入第一正压供电LDO的VOUT管脚输出的+VCC1电压，模拟开关的S2管脚接入第二正压供电LDO的VOUT管脚输出的-VEE电压，模拟开关的VDD管脚接入电源转换电路输出的VDD电压，模拟开关的VSS管脚接入电源转换电路输出的-VSS电压，模拟开关的GND管脚接入线路板的二次地；DDR3供电芯片的EN4管脚接入模拟开关的OUT管脚，DDR3供电芯片的VDDQSENS管脚与VLDOIN管脚连接且同时接入第一正压供电LDO的VOUT管脚输出的+VCC1电压和模拟开关的S1管脚，DDR3供电芯片的VDDIN管脚接入第二正压供电LDO的VOUT管脚输出的+VCC2电压，DDR3供电芯片的GND管脚接入负压供电LDO的VOUT管脚输出的-VEE电压；当成像控制器输出的EN1使能信号、EN2使能信号、EN3使能信号和EN4使能信号均处于禁止状态时，DDR3供电芯片的VOVTT管脚输出0伏电压；当成像控制器输出的EN1使能信号、EN2使能信号、EN3使能信号使能而EN4使能信号处于禁止状态时，DDR3供电芯片的VOVTT管脚输出-VEE伏电压；当成像控制器输出的EN1使能信号、EN2使能信号、EN3使能信号和EN4使能信号均使能时，DDR3供电芯片的VOVTT管脚输出-VTT伏电压。

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百度查询： 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 负压大灌电流供电单元及TDICMOS成像系统的低负压供电方法