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申请/专利权人：麦克德米德乐思公司
摘要：一种用镍‑硼合金或钴‑硼合金对介电基底进行金属化以沉积表现出良好电导率的合金薄层的方法。该方法包括活化步骤，该活化步骤包括用诸如钯的贵金属进行两个活化阶段。在此后，通过无电沉积用镍‑硼合金或钴‑硼合金对该介电基底进行金属化。
主权项：1.一种用镍-硼合金或钴-硼合金对矿物氧化物基底进行金属化的方法，所述金属化方法包括：a用贵金属对所述矿物氧化物基底的一个或多个表面进行活化，其中所述活化步骤包括：i.第一活化阶段，所述第一活化阶段包括以下步骤：通过使所述矿物氧化物基底的表面与第一活化溶液接触来对所述矿物氧化物基底的所述表面进行活化，所述第一活化溶液包含溶剂、具有络合剂的贵金属络合物和有机硅烷双官能粘结剂，以及在此后ii.第二活化阶段，所述第二活化阶段包括以下步骤：通过使所述矿物氧化物基底的表面与第二活化溶液接触来对所述矿物氧化物基底的所述表面进行活化，所述第二活化溶液包含含有贵金属离子的酸性pH的水溶液；以及b在不存在电极化的情况下，使所述矿物氧化物基底的所述一个或多个表面与无电水溶液接触，所述无电水溶液包含金属离子和包含硼的金属离子还原剂。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 麦克德米德乐思公司 用于制造半导体器件的镍合金或钴合金金属化的方法
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