龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：JX金属株式会社
摘要：本发明涉及Cu‑W‑O溅射靶和氧化物薄膜。一种Cu‑W‑O溅射靶，其为包含钨W、铜Cu、氧O和不可避免的杂质的溅射靶，其中，所述Cu‑W‑O溅射靶的体积电阻率为1.0×103Ω·cm以下。一种氧化物薄膜，其为包含钨W、铜Cu、氧O和不可避免的杂质的薄膜，其中，W和Cu的含有比率以原子比计满足0.5≤WCu+W＜1。本发明的课题在于，提供一种能够形成功函数高的膜并且体积电阻率低的溅射靶。
主权项：1.一种Cu-W-O溅射靶，其为包含钨W、铜Cu、氧O和不可避免的杂质的溅射靶，其中，所述Cu-W-O溅射靶的体积电阻率为1.0×103Ω·cm以下，所述Cu-W-O溅射靶满足其功函数为4.5eV以上。
全文数据：
权利要求：
百度查询： JX金属株式会社 Cu-W-O溅射靶和氧化物薄膜
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号