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申请/专利权人：深圳新声半导体有限公司
摘要：本申请实施例的目的是提供一种集成式体声波滤波器和制造方法。本申请实施例的集成式体声波滤波器包括衬底和集成在所述衬底上的多个体声波滤波器；其中，每个体声波滤波器分别包括压电层、上电极层、下电极层、第一框架层和第二框架层，所述上电极层被设置于所述压电层的上方，所述下电极层被设置于所述压电层的下方，所述第一框架层被设置于所述下电极层的下方，所述第二框架层被设置于所述上电极层的上方。本申请实施例的集成式体声波滤波器及其制造方法，实现了将多个体声波滤波器集成在一个芯片上，并且，实现了将具有不同工作频率的多个体声波滤波器集成在一个芯片上。
主权项：1.一种制造集成式体声波滤波器的方法，其中，所述集成式体声波滤波器包括衬底和集成在所述衬底上的多个体声波滤波器，每个体声波滤波器分别包括压电层、上电极层、下电极层、第一框架层和第二框架层，所述上电极层被设置于所述压电层的上方，所述下电极层被设置于所述压电层的下方，所述第一框架层被设置于所述下电极层的下方，所述第二框架层被设置于所述上电极层的上方，所述方法包括：在临时衬底之上形成上电极层；在所述上电极层之上形成压电层；在所述压电层之上形成下电极层；在所述下电极层之上形成对应于所述多个体声波滤波器的第一框架层；基于所述多个体声波滤波器各自的下电极层厚度，对所述下电极层进行刻蚀处理，以形成对应于各个体声波滤波器的下电极层；去除所述临时衬底；在所述上电极层之上形成对应于所述多个体声波滤波器的第二框架层；基于所述多个体声波滤波器各自的上电极层厚度，对所述上电极层进行刻蚀处理，以形成对应于各个体声波滤波器的上电极层；其中，所述第一框架层和第二框架层分别由多个子框架层组成；其中，通过在集成于衬底上的多个体声波滤波器的上电极层和下电极层上分别设置不同数量或形状的子框架层，使得该多个体声波滤波器具有不同的工作频率；其中，所述第一框架层的多个子框架层和第二框架层的多个子框架层在垂直于上下电极层平面的横截面积对应于相应的BAW滤波器的工作频率。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 深圳新声半导体有限公司 一种集成式体声波滤波器和制造方法
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