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申请/专利权人：北京科技大学

摘要：本发明公开了单层液晶反射式液晶彩色显示材料及其制备方法，包括如下步骤：制备含有光刻墙的TFT基板Ⅰ；制备具有形貌均匀高度整齐的像素点光刻墙的TFT基板Ⅱ；制备具有形貌均匀高度整齐的像素点光刻墙和高分子负载手性剂薄膜A的TFT基板Ⅲ；制备具有形貌均匀高度整齐的像素点光刻墙和只有蓝色像素点内含有高分子负载手性剂薄膜A的TFT基板Ⅳ；制备具有形貌均匀高度整齐的像素点光刻墙和红色像素内不含薄膜A和B，绿色像素内含有薄膜B，蓝色像素中含有薄膜A和B的TFT基板Ⅴ；制备单层液晶反射式液晶彩色显示材料。本发明研制出了单层液晶内超高反射率、红绿蓝独立显示、可电场控制双稳态显示的液晶材料。

主权项：1.单层液晶反射式液晶彩色显示材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1、将光刻胶滴在TFT导电玻璃上进行旋涂，然后烘干除去光刻胶中的溶剂，再在掩模配合下用紫外光照射下聚合，得到含有光刻墙的TFT基板Ⅰ；步骤2、将TFT基板Ⅰ显影一段时间，然后转至漂洗液中除去溶剂，得到具有形貌均匀高度整齐的像素点光刻墙的TFT基板Ⅱ，三个相邻的像素分别称为红色像素点、绿色像素点和蓝色像素点；步骤3、按照重量份将1-30份的手性剂、70-98份的有机溶剂、3-30份的高分子聚合物、0-2份的光引发剂混合，搅拌均匀后得到混合物1，取一部分混合物1在旋转涂布机下旋涂在TFT基板Ⅱ上，然后在紫外光照射下下聚合，在TFT基板Ⅱ上形成高分子负载手性剂薄膜A，得到具有形貌均匀高度整齐的像素点光刻墙和第一层高分子负载手性剂薄膜的TFT基板Ⅲ；步骤4、TFT基板Ⅲ在刻蚀机下，刻蚀除去红像素点和绿像素中多余的高分子负载手性剂薄膜A，得到具有形貌均匀高度整齐的像素点光刻墙和只有蓝色像素点内含有高分子负载手性剂薄膜A的TFT基板Ⅳ；步骤5、取一部分混合物1用旋转涂布机下旋涂在TFT基板Ⅳ上，然后使用紫外光照射聚合，在TFT基板Ⅳ上形成高分子负载手性剂的薄膜B，利用刻蚀机刻除红像素点中多余的的薄膜B，得到具有形貌均匀高度整齐的像素点光刻墙和红色像素内不含薄膜A和B，绿色像素内含有薄膜B，蓝色像素中含有薄膜A和薄膜B的TFT基板Ⅴ；步骤6、按照重量份将2-30份手性剂、5-15份紫外线可聚合单体、0.5-2份的光引发剂、70-95份的相列相液晶均匀混合得到反射红色颜色的母体液晶混合物2，将母体液晶混合物2辊压在带有ITO导电面的PET基板和TFT基板Ⅴ中间，扩散一段时间后紫外光照射一段时间，得到单层液晶反射式液晶彩色显示材料。

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