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申请/专利权人：厦门半导体工业技术研发有限公司
摘要：本发明公开了一种阻变存储器、阻变元件、阻变层及其制备方法，其中，所述方法包括采用第一光罩对底电极进行蚀刻，以形成第一凹槽；接着，在蚀刻后的底电极上沉积电介质薄膜，以覆盖底电极，并采用第二光罩对电介质薄膜进行平整处理；然后，采用第三光罩对平整后的电介质薄膜进行蚀刻，以形成第二凹槽；最后，在蚀刻后的电介质薄膜上沉积过渡金属氧化物薄膜，以覆盖电介质薄膜，并平坦化过渡金属氧化物薄膜，以得到阻变层；由此，通过拆分两次沉积电介质薄膜处理，使阻变元件结构高度减小，以此可减少阻变元件的体积大小及距离限制，从而避免了失效风险。
主权项：1.一种阻变层的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：采用第一光罩对底电极进行蚀刻，以形成第一凹槽；在蚀刻后的底电极上沉积电介质薄膜，以覆盖所述底电极，并采用第二光罩对所述电介质薄膜进行平整处理；采用第三光罩对平整后的所述电介质薄膜进行蚀刻，以形成第二凹槽；在蚀刻后的电介质薄膜上沉积过渡金属氧化物薄膜，以覆盖所述电介质薄膜，并平坦化所述过渡金属氧化物薄膜，以得到阻变层。
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权利要求：
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