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申请/专利权人:兰州空间技术物理研究所
摘要:本发明涉及表面工程领域,具体涉及一种含过渡层的多元合金吸气膜系及其制备方法。吸气膜系为双层结构,包括:过渡层和多元合金吸气膜层。过渡层的成分为铬Cr或钛Ti,厚度为10~100nm;多元合金吸气膜层的成分为Ti或Zr合金,厚度为1~5μm。按质量百分比计,多元合金吸气膜层的成分包括:50%~85%的Ti或Zr,10%~40%的辅助吸气元素,包括Co、V、Mn、Al中的一种,以及1%~10%的掺杂元素,包括Fe、Hf、Nb、Y、La、Ce、Pr、Nd中的一种或多种。制备方法采用直流磁控溅射。在基体表面沉积过渡层,再在过渡层表面沉积多元合金吸气膜层,形成双层吸气膜系结构。本发明有效提高膜基结合力,避免基体表面的放气和杂质的影响,吸气性能高,满足微机电系统器件的真空封装需求。
主权项:1.一种含过渡层的多元合金吸气膜系,其特征在于,包括:过渡层和多元合金吸气膜层,其中,所述过渡层沉积在基体表面,所述多元合金吸气膜层沉积在所述过渡层表面;所述过渡层为致密结构薄膜,厚度为10~100nm;所述多元合金吸气膜层为均匀分布有大量微裂纹的团簇结构薄膜,厚度为1~5μm;所述过渡层的材料为Ti或Cr,所述多元合金吸气膜层的材料为Ti合金或Zr合金。
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权利要求:
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