龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：中国电子科技集团公司第五十四研究所
摘要：本发明公开了一种抗单粒子瞬态脉冲反相器加固电路，属于集成电路、电路抗辐照加固技术领域。其包括第一、第二、第三、第四、第五、第六场效应晶体管，第三、第四场效应晶体管的漏极相连，第一、第二晶体管的源极、漏极分别相连并且源极和第三、第四场效应晶体管的漏极相连，第五场效应晶体管的源极和衬底同时接电源，第五场效应晶体管的漏级和第三场效应晶体管的源极相连，第六场效应晶体管的源极和衬底同时接地，第六场效应晶体管的漏极和第四场效应晶体管的源极相连，第一、第二、第三、第四、第五、第六场效应晶体管的栅极相连。本发明不仅能够完成普通反相器的逻辑功能，还具备高性能的抗单粒子效应的性能。
主权项：1.一种抗单粒子瞬态脉冲反相器加固电路，其特征在于：包括第一场效应晶体管、第二场效应晶体管、第三场效应晶体管、第四场效应晶体管、第五场效应晶体管、第六场效应晶体管，第三、第四场效应晶体管的漏极相连，第一、第二场效应晶体管的源极、漏极分别相连并且源极和第三、第四场效应晶体管的漏极相连，第五场效应晶体管的源极和衬底同时接电源，第五场效应晶体管的漏级和第三场效应晶体管的源极相连，第六场效应晶体管的源极和衬底同时接地，第六场效应晶体管的漏极和第四场效应晶体管的源极相连，第一、第二、第三、第四、第五、第六场效应晶体管的栅极相连；所述第一场效应晶体管、第三场效应晶体管、第五场效应晶体管均为P沟道场效应晶体管，第二场效应晶体管、第四场效应晶体管、第六场效应晶体管均为N沟道场效应晶体管；所述反相器由一个P沟道场效应晶体管和一个N沟道场效应晶体管构成。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国电子科技集团公司第五十四研究所 一种抗单粒子瞬态脉冲反相器加固电路
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号