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申请/专利权人：意法半导体国际公司
摘要：本公开涉及电子功率组件。本公开涉及一种在半导体基板内部和顶部上形成电子功率组件的方法，包括以下连续步骤：a在半导体基板的第一表面的一侧在半导体基板中形成外围凹槽；b沉积氧掺杂多晶硅层，所述氧掺杂多晶硅层在外围凹槽的底部和侧壁的顶部上并与其接触以及在半导体基板的第一表面的顶部上并与其接触；c在氧掺杂多晶硅层上局部沉积玻璃层，该玻璃层在外围凹槽中延伸，并且进一步在半导体基板的第一表面的一部分上方延伸；以及d蚀刻氧掺杂多晶硅层，使得其在半导体基板的第一表面上延伸超出玻璃层。
主权项：1.一种电子功率组件，其特征在于，包括：在半导体基板中的外围凹槽，在半导体基板的第一表面的一侧；氧掺杂多晶硅层，在外围凹槽的底部和侧壁的顶部上并与其接触，以及在半导体基板的第一表面的顶部上并与其接触；以及玻璃层，在氧掺杂多晶硅层上，所述玻璃层在外围凹槽中延伸并且在半导体基板的第一表面的一部分上延伸，并且氧掺杂多晶硅层在半导体基板的第一表面上延伸超出玻璃层。
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