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摘要：本发明属于倍增型有机光电探测器成像技术领域，具体涉及一种TFT阵列P3HT:Y6基近红外有机光电倍增图像传感器及其制作方法，包括TFT阵列衬底，TFT阵列衬底顶部裸露的像素图形化的漏极区上表面依次设置有空穴传输层、界面修饰层、活性层和顶电极层；空穴传输层的材料为PEDOT:PSS，界面修饰层的材料为Al2O3，活性层的材料为P3HT:Y6。本发明可以大大提高有机光电倍增图像传感器的弱光探测能力，可以广泛应用于柔性电子皮肤、可穿戴设备、生物医学成像等新兴领域。
主权项：1.一种TFT阵列P3HT:Y6基近红外有机光电倍增图像传感器，其特征在于，包括TFT阵列衬底1，所述TFT阵列衬底1顶部裸露的像素图形化的漏极区上表面依次设置有空穴传输层2、界面修饰层3、活性层4和顶电极层5，所述空穴传输层2的材料为PEDOT:PSS，所述界面修饰层3的材料为Al2O3，所述活性层4的材料为P3HT:Y6；所述图像传感器通过对TFT阵列衬底1各列像素点对应栅极施加开关电压来控制列选通和关断，通过对TFT阵列衬底1各行像素点对应源极电流进行测量实现像素测量，通过改变对顶电极层5施加的偏置电压大小来调节输出电流。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 太原理工大学 一种TFT阵列P3HT:Y6基近红外有机光电倍增图像传感器及其制作方法
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