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提高硅片表面平整度的方法及其制造的太阳能电池硅片 

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摘要:本发明公开了一种提高硅片表面平整度的方法及其制造的太阳能电池硅片,属于太阳能电池领域。本发明的一种提高硅片表面平整度的方法,包括:对硅片进行碱抛;对硅片进行水洗后放置于臭氧槽中进行氧化反应;对硅片酸洗和漂洗后进行烘干;所述提高硅片表面平整度的方法还包括:在对硅片进行碱抛之前使用激光对硅片表面进行刻蚀以使被刻蚀后的硅片表面形成依次排布的凹槽,所述凹槽的开口宽度范围是10微米至15微米。本发明的主要用途是通过在对硅片进行碱抛之前使用激光对硅片表面进行刻蚀,在不改变碱抛工艺条件的情况下,有效消除硅片表面的线痕,提高硅片的表面平整度和反射率。

主权项:1.一种提高硅片表面平整度的方法,包括:对硅片进行碱抛;对硅片进行水洗后放置于臭氧槽中进行氧化反应;对硅片酸洗和漂洗后进行烘干;其特征在于:所述提高硅片表面平整度的方法还包括:在对硅片进行碱抛之前使用激光对硅片表面进行刻蚀以使被刻蚀后的硅片表面形成依次排布的凹槽。

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