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摘要：本发明涉及一种具有双图形化绝缘层结构的发光器件，包括第一半导体层、第二半导体层和有源层；与第二半导体层形成欧姆接触的第一导电层，与第一导电层形成电连接的反射层，与反射层形成电连接的第二导电层，所述第二导电层上设有多个向第一导电层方向的凸起；覆盖于第二半导体层部分表面且部分暴露于器件外部的第一绝缘层；覆盖于第一绝缘层部分表面和反射层部分表面的第三绝缘层，其中，未覆盖第一绝缘层区域的垂直方向必然覆盖第三绝缘层，基于凸起第一绝缘层和第三绝缘层形成双图形化绝缘层结构。本发明减少了金属迁移路径；且图形化凹陷区域能够释放部分结构应力，降低金属断裂比例。
主权项：1.一种具有双图形化绝缘层结构的发光器件，包括第一半导体层1、第二半导体层2和有源层4；有源层4位于第一半导体层1、第二半导体层2之间；其特征在于，包括如下：与第二半导体层2形成欧姆接触的第一导电层7，与第一导电层7形成电连接的反射层8，与反射层8形成电连接的第二导电层9，与第二导电层9形成电连接的电极11；第一导电层7、反射层8、第二导电层9、电极11共同组成第一电连接层，所述第二导电层9上设有多个向第一导电层7方向的凸起6；贯穿第二半导体层2及有源层4，并延伸到第一半导体层1内部的凹陷5；覆盖于第二半导体层2部分表面且部分暴露于器件外部的第一绝缘层12；覆盖于凹陷5侧壁及第一电连接层一侧的第二绝缘层13；覆盖于第一绝缘层12部分表面和反射层8部分表面的第三绝缘层14，其中，未覆盖第一绝缘层12区域的垂直方向必然覆盖第三绝缘层14，基于凸起6第一绝缘层12和第三绝缘层14之间形成双图形化绝缘层结构，部分接触于第二绝缘层13表面并且与第一半导体层1形成电连接的第三导电层10，与第三导电层10接触的基板3。
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百度查询： 安徽格恩半导体有限公司 一种具有双图形化绝缘层结构的发光器件
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