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摘要：公开了特别适合于嵌入式和汽车应用的相变存储器元件。一种相变存储器元件包括存储器区域、第一电极和第二电极。存储器区域被布置在第一电极与第二电极之间并且由GST合金制成。GST合金中的锗的平均百分比高于50％。存储器区域具有由包括电相关量的氮的GST合金形成的存储部分。存储部分的GST合金具有包括在60％和68％之间的锗的百分比；包括在9％和5％之间的锑的百分比；包括在18％和10％之间的碲的百分比；以及包括在5％和25％之间的氮的百分比。
主权项：1.一种相变存储器元件，包括：存储器区域；第一电极；以及第二电极，其中：存储器区域被布置在第一电极与第二电极之间；存储器区域包括锗的平均百分比高于或等于50％的锗锑碲GST合金，并且存储器区域包括存储部分，所述存储部分包括电相关量的氮。
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百度查询： 意法半导体国际公司 特别适合于嵌入式和汽车应用的相变存储器元件
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