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摘要：本发明属于存储设备技术领域，具体涉及一种高集成度相变存储器阵列结构，包括单元；单元包括芯骨，芯骨的相对两面或周向四面向外依次设置有相变材料层、沟道层、多晶硅层、门电极；数个单元通过三维堆叠成n×n×n的阵列结构，高度方向上相互堆叠的n个单元构成一条存储器链；还包括选通电路，位于存储器链底端单元与选通电路连接；选通电路包括芯骨，芯骨的相对两面或周向壁面外依次设置有沟道层、多晶硅层、门电极；选通电路的芯骨、沟道层、多晶硅层均为存储器链底端的单元沿其高度方向向下延伸而成；选通电路的门电极与其对应单元的门电极结构相同。本发明能够实现高集成度，同时不会有明显热串扰，保证存储器件可靠性。
主权项：1.高集成度相变存储器阵列结构，其特征在于，包括单元；单元包括芯骨，芯骨的相对两面或周向四面外均依次设置有相变材料层、沟道层、多晶硅层、门电极；数个单元通过三维堆叠成n×n×n的阵列结构，高度方向上相互堆叠的n个单元构成一条存储器链；还包括选通电路，位于存储器链底端的单元与选通电路连接；选通电路包括芯骨，芯骨外依次设置有沟道层、多晶硅层、门电极；选通电路的芯骨、沟道层、多晶硅层均为存储器链底端的单元沿其高度方向向下延伸而成；选通电路的门电极与其对应单元的门电极结构相同；还包括二极管选通器、位线、电极与字线；选通电路的底端与二极管选通器连接，二极管选通器与字线连接；位于存储器链顶端单元的沟道层与电极连接，电极与位线连接；选通电路的芯骨厚度为其对应单元的芯骨厚度与相变材料层厚度之和；相变材料层、沟道层、多晶硅层的高度均与芯骨高度相等，门电极位于多晶硅层高度的中间位置；芯骨、沟道层、多晶硅层、门电极均为长方体状；相变材料层为中部尺寸小于两端尺寸的哑铃状。
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百度查询： 杭州电子科技大学 高集成度相变存储器阵列结构
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