买专利卖专利找龙图腾,真高效! 查专利查商标用IPTOP,全免费!专利年费监控用IP管家,真方便!
摘要:本发明涉及一种硅片背面光泽度、粗糙度调控的高平坦度工艺方法,所属硅片加工技术领域,包括如下操作步骤:第一步:硅片在HF、HNO3、HAc的混合溶液中进行酸腐蚀。第二步:采用SC1药液及纯水对硅片表面进行预清洗。第三步:通过碱腐蚀对硅片进行表面处理,碱腐蚀药液为KOH或NaOH。第四步:对碱腐蚀过的硅片进行清洗。第五步:对硅片背面进行背面抛光和正面抛光。通过背抛工艺对腐蚀面的光泽度和粗糙度进行一个调控,同时由于背面抛光只进行了中抛,所以背面仍然保持着腐蚀面的状态。采用腐蚀与背抛的组合,通过背抛对背面腐蚀面进行一个平坦度的改善得到一个高平坦度的产品硅片。
主权项:1.一种硅片背面光泽度、粗糙度调控的高平坦度工艺方法,其特征在于包括如下操作步骤:第一步:硅片在HF、HNO3、HAc的混合溶液中进行酸腐蚀;第二步:采用SC1药液及纯水对硅片表面进行预清洗;第三步:通过碱腐蚀对硅片进行表面处理,碱腐蚀药液为KOH或NaOH;第四步:对碱腐蚀过的硅片进行清洗;第五步:对硅片背面进行背面抛光和正面抛光。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 杭州中欣晶圆半导体股份有限公司 硅片背面光泽度、粗糙度调控的高平坦度工艺方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息,力求客观、公正,但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解,仅供参考使用,不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。