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摘要：存储器电路包含：i半导体衬底，其具有平面表面，所述半导体衬底具有形成于其中的用于存储器操作的电路系统；ii存储器阵列，其形成于所述平面表面上方，所述存储器阵列具有连接到所述存储器阵列中的存储器电路的一个或多个电极，导体各自沿着基本上平行于所述平面表面的方向延伸；以及iii一个或多个晶体管，每个晶体管在所述电极中的对应一个电极上方、沿着所述对应一个电极或在所述对应一个电极下方，但在所述半导体衬底的所述平面表面上方形成，每个晶体管a具有第一和第二漏极源极区和栅极区，每一个由半导体材料形成，其中所述第一漏极源极区、所述第二漏极源极区或所述栅极区具有形成于其上的金属硅化物层；以及b选择性地将所述对应电极连接到用于存储器操作的所述电路系统。

主权项：1.一种存储器电路，其包括：半导体衬底，其具有平面表面，所述半导体衬底具有形成于其中的用于存储器操作的电路系统；存储器结构，其形成于所述平面表面上方，包括存储器阵列部分和阶梯部分，其中i所述存储器阵列部分包括被组织成多个层级的NOR存储器串的多个存储器单元，每个NOR存储器串具有共享共同位线的存储器单元，每个存储器单元与作为栅极电极的字线相关联；ii所述阶梯部分具有多个台阶；以及iii每个层级的NOR存储器串中的所述NOR存储器串的所述共同位线设置在所述层级的NOR存储器串内的第一导电层上，所述第一导电层具有向或从每个层级的NOR存储器串中的所述存储器单元的所述共同位线载送电信号的导体，所述第一导电层中的所述导体沿着平行于所述平面表面的第一方向延伸且在所述存储器结构的所述存储器阵列部分与所述存储器结构的所述阶梯部分的对应台阶之间，其中每个字线沿与所述平面表面正交的第二方向延伸；以及选择电路，其包括一或多个晶体管，每个晶体管在对应第一导电层的导体上方或下方，但在所述半导体衬底的所述平面表面上方形成，使得所述选择电路将占用面积投射到在所述存储器结构的所述占用面积内的所述半导体衬底上，其中当所述每个所述晶体管被控制信号导通时，所述每个晶体管被电连接到那个第一导电层中的所述导体中的对应一个，其中所述每个晶体管包含第一漏极或源极区、第二漏极或源极区和栅极区，每个区由半导体材料或导电材料形成。

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百度查询： 日升存储公司 垂直薄膜晶体管以及作为用于三维存储器阵列的位线连接器的应用