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摘要：本发明公开了一种B位掺杂的BaTiO3基高熵介电陶瓷及其制备方法，属于无机电介质陶瓷领域。本发明所述无铅、高击穿场强、高储能效率的BaTiO3基高熵介电陶瓷，其化学式为BaTi0.2Zr0.2Nb0.2X0.2Y0.2O3，其中X、Y包括两种组合方第一种X为Yb，Y为Hf；第二种X为Y，Y为Sn其制备过程包括：首先按照化学计量比称取原料BaCO3、TiO2、ZrO2、Nb2O5、Yb2O3、HfO2或者BaCO3、TiO2、ZrO2、Nb2O5、Y2O3、SnO2；然后采用湿法球磨混合均匀，干燥、煅烧，二次球磨，干燥、研磨即得到所需的样品粉末；将适量粉末通过快速热压烧结炉在低气压环境下采用分段烧结法烧结，退火即可得到陶瓷块体。该高熵陶瓷具有击穿场强高、剩余极化强度小、储能效率高和温度稳定性好等优点，在无机储能电容器领域具有广泛的应用潜力。
主权项：1.一种B位掺杂的BaTiO3基高熵介电陶瓷的制备方法，其特征在于：所述BaTiO3基高熵介电陶瓷的化学式为：BaTi0.2Zr0.2Nb0.2X0.2Y0.2O3，其中X为镱，Y为铪,具体包括以下步骤：1按照化学式BaTi0.2Zr0.2Nb0.2X0.2Y0.2O3的化学计量比称取原料BaCO3、TiO2、ZrO2、Nb2O5、Yb2O3、HfO2；2将步骤1称取的原料采用湿法球磨，之后经过干燥、研磨、煅烧后得到混合粉末；3将得到的混合粉末二次球磨、干燥、研磨；4将步骤3二次球磨干燥后得到的粉末加入聚乙烯醇溶液并混合均匀，然后通过快速热压烧结炉，采用分段烧结的方式对粉体进行烧结；烧结的条件为：取5～6g粉体放入直径为20mm的石墨模具中，通过快速热压烧结炉，采用红外线测温方法，在30～50MPa的压力及1～5Pa的低气压环境下，以50～100℃min的升温速率加热至800℃并保温10～15min；然后以50～100℃min升温至1100℃，最后再以25～50℃min加热至1200℃，并保温5～10min;5试样冷却取出后，在空气中退火，去除石墨，得到高熵陶瓷块体。
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百度查询： 昆明理工大学 一种B位掺杂的BaTiO3基高熵介电陶瓷及其制备方法
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