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摘要:本发明实施例提供了一种二极管、二极管制作方法、装置、设备、介质和电器,该二极管包括:依次连接的阴极、衬底和外延层;外延层设有沟槽;设置在外延层中的第一埋层和第二埋层;第一埋层与第二埋层相隔预设距离对应设置;掺杂区,掺杂区设置于外延层上;阳极,阳极设置于掺杂区上;阳极设有延伸部;阳极的延伸部穿过掺杂区延伸至外延层的沟槽内,与外延层形成肖特基接触;阳极的延伸部对应于第一埋层和第二埋层之间。从而通过第一埋层与第二埋层的位置设置,调整了电流路径,减少导通压降和反向恢复时间,而且可通过埋层的位置调整改变击穿电压,将埋层上移,可一定程度上增加了击穿电压,相对于现有技术有效的减少了静态损耗和动态损耗。
主权项:1.一种二极管,其特征在于,包括:依次连接的阴极、衬底和外延层;所述外延层设有沟槽;所述衬底的掺杂类型为第一类型,掺杂浓度为第一掺杂浓度;所述外延层的掺杂类型为第一类型,掺杂浓度为第二掺杂浓度;设置在所述外延层中的第一埋层和第二埋层;所述第一埋层与所述第二埋层相隔预设距离对应设置;所述第一埋层和所述第二埋层为梯形,所述第一埋层的上边小于所述第一埋层的下边,所述第二埋层的上边小于所述第二埋层的下边,使所述第一埋层的上边与所述第二埋层的上边间隔的距离,大于所述第一埋层的下边与所述第二埋层的下边间隔的距离;所述第一埋层和所述第二埋层的掺杂类型为第二类型;掺杂区,所述掺杂区设置于所述外延层上;阳极,所述阳极设置于所述掺杂区上;所述阳极设有延伸部;所述阳极的延伸部穿过所述掺杂区延伸至所述外延层的沟槽内,与所述外延层形成肖特基接触;所述阳极的延伸部对应于所述第一埋层和所述第二埋层之间;所述掺杂区的掺杂类型为第二类型。
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