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摘要：本发明公开了一种磷化亚铜二维薄膜的制备方法，本发明采用次磷酸钠和铜箔作为前驱物，通过在惰性气氛中加热，在铜箔表面生长磷化亚铜晶体；然后以表面生长有磷化亚铜的铜箔为源，表面生长有氧化层的硅片SiO2Si为基底，采用采用化学气相沉积法CVD在基底表面生长磷化亚铜二维薄膜。本发明薄膜制备的重复性好、晶体结晶质量高。制备的磷化亚铜二维薄膜厚度为2‑10nm。
主权项：1.一种磷化亚铜二维薄膜的制备方法，其特征在于，该方法具体如下：采用次磷酸钠和铜箔作为前驱物，通过在惰性气氛中加热，在铜箔表面生长磷化亚铜晶体；然后以表面生长有磷化亚铜的铜箔为源，表面生长有氧化层的硅片为基底，采用化学气相沉积法在基底表面生长磷化亚铜二维薄膜，具体为：步骤1.将表面生长有磷化亚铜的铜箔放入刚玉舟中，然后转入刚玉管中，并将刚玉管中倾斜，并在刚玉管口放入表面生长有氧化层的硅片；抽真空，充入1个大气压的氩气，然后刚玉管两端密封；步骤2.将步骤1的刚玉管中间位置通过管式炉加热至700～850℃，刚玉管口的温度为550～700℃，升温速率为10℃min；温度升至700～850℃后保温，保温时间为10～30min；然后自然冷却至室温，之后取出刚玉管口的产物，获得在基底表面生长的磷化亚铜二维薄膜。
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百度查询： 杭州电子科技大学 一种磷化亚铜二维薄膜的制备方法
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