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阴离子调控硅基微聚集体负极材料及其制备方法、用途 

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摘要:本发明涉及钠离子电池,具体涉及一种阴离子调控硅基微聚集体负极材料及其制备方法、用途。该负极材料的制备包括以下步骤:一、制备纳米级SiO2@RF球;二、形成SiO2@RFPDA‑PPY微聚集体;三、Si@HCNC微聚集体形成;四、获得目标产物X‑Si@HCNC微聚集体。本发明制备的S‑Si@HCNC微聚集球电性能明显优于Si@HC,在0.5Ag电流密度下,经过200次长循环,S‑Si@HCNC储钠量依然可以保持491mAhg;同时,S‑Si@HCNC表现出了优异的倍率性能。

主权项:1.一种阴离子调控硅基微聚集体负极材料的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:向正硅酸乙酯中加入间苯二酚和甲醛,得到SiO2@RF悬浮液;将所述SiO2@RF悬浮液调pH至碱性,加入盐酸多巴胺和吡咯,形成SiO2@RFPDA-PPY微聚集体;利用镁热反应还原所述SiO2@RFPDA-PPY微聚集体中二氧化硅,并炭化其中的间苯二酚-甲醛及多巴胺改性聚吡咯,得到Si@HCNC微聚集体;将含有S、Se或P阴离子的原料与所述Si@HCNC微聚集体混合,在惰性环境下进行煅烧,获得目标产物阴离子调控硅基微聚集体;其中,所述正硅酸乙酯、所述间苯二酚与所述甲醛的用量比为2~5ml∶0.1~0.6g∶0.3~0.7ml;所述SiO2@RF悬浮液调pH至碱性是调pH至9.0~11.5;所述SiO2@RF悬浮液、所述盐酸多巴胺与所述吡咯的用量比为10~30ml∶0.06~0.36g∶0.2~1ml;所述镁热反应的具体过程为:将所述SiO2@RFPDA-PPY微聚集体与镁粉混合,在惰性环境中以升温速率3℃min~8℃min升温至600℃~750℃反应1.5~4h;所述SiO2@RFPDA-PPY微聚集体与镁粉的质量比为1∶1~3;所述含有S、Se或P阴离子的原料与所述Si@HCNC微聚集体的质量比为1∶5~10;含S阴离子的原料为硫粉,含Se阴离子的原料为硒粉,含P阴离子的原料为红磷或次磷酸钠;所述煅烧是以升温速率为5℃min~10℃min升温至550℃~750℃煅烧2-8h。

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