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摘要：本发明公开了一种无掩膜版多次光刻的微纳图案制造与转移方法；通过对1微米以上图形和1微米以下图形划分，分别执行激光直写曝光和电子束曝光，采用两次曝光加剥离的方法，能够兼容图案内同时存在微米级以上的大线宽与纳米级的小线宽，可以快速、低成本的加工纳米尺度的微细图形，并且采用剥离的方法将光刻图案转移到材料层内，可以避免刻蚀所带来的线宽丢失，能够更加精准的进行图案转移。
主权项：1.一种无掩膜版多次光刻的微纳图案制造与转移方法，其特征在于，包括以下步骤：1采用有机溶剂清洗衬底材料，在衬底表面旋涂光刻胶，烘烤；2在激光直写设备中导入图案，在衬底材料上进行激光直写曝光，曝光得到1微米以上的图案；采用显影液进行显影，去除曝光后的光刻胶，得到显影后的衬底材料；3采用电子束蒸镀、磁控溅射或原子层沉积中的一种薄膜生长方式，在显影后的衬底材料上进行镀膜，得到镀膜后的衬底材料；4将镀膜后的衬底材料泡入腐蚀液中水浴加热，分离衬底材料与膜层，将光刻图案剥离转移到膜层上，即得微米级以上的图案；5在步骤4分离后的衬底材料表面旋涂光刻胶，烘烤；6在电子束曝光设备中导入图案，在衬底材料上，对准套刻标记进行电子束曝光，曝光得到线宽1微米以下的图案；采用显影液进行显影，去除曝光后的光刻胶，得到二次显影后的衬底材料；7采用电子束蒸镀、磁控溅射或原子层沉积中的一种薄膜生长方式，在二次显影后的衬底材料上进行镀膜，得到二次镀膜后的衬底材料；8将二次镀膜后的衬底材料泡入腐蚀液中水浴加热，分离衬底材料与膜层，将光刻图案剥离转移到膜层上，即得纳米级的图案。
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百度查询： 南京大学 一种无掩膜版多次光刻的微纳图案制造与转移方法
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