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摘要：本发明提供光刻胶回刻的方法，通过在形成光刻胶层之前，在保护层上形成一层隔离层，用于隔离保护层和光刻胶层，避免氮化硅与光刻胶产生毒化效应，并且不需进行短秒数氧处理改善光刻胶毒化效应。同时本发明提供的隔离层致密度高且工艺稳定，在后续光刻工艺中能够获得更稳定光刻线宽。进一步的，当光刻胶层需要进行重制时，采用以氢气为主的电浆去除光刻胶层，以降低表面氧化量，避免采用灰化工艺去除光刻胶造成保护层再次氧化增厚进而导致后续光刻线宽异常和磷酸无法完整拔除保护层，也即本发明在保护层上形成的隔离层能够降低因光刻胶重制对于保护层表面状况的影响。
主权项：1.一种光刻胶回刻的方法，其特征在于，包括：提供一衬底，所述衬底包括N阱和位于所述N阱上的PMOS器件以及P阱和位于所述P阱上的NMOS器件，所述PMOS器件的顶表面低于所述NMOS器件的顶表面；形成保护层，所述保护层覆盖所述PMOS器件和所述NMOS器件；形成隔离层，所述隔离层覆盖所述保护层；形成光刻胶层，所述光刻胶层覆盖所述隔离层，所述隔离层用于隔离所述保护层和所述光刻胶层；执行光刻胶回刻工艺，以使所述PMOS器件的顶表面和所述NMOS器件的顶表面高度相同。
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百度查询： 重庆芯联微电子有限公司 光刻胶回刻的方法
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