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摘要：本发明提供了一种功率器件套刻偏差电性测量结构及方法，结构包括：具有第一导电类型的衬底；形成于衬底中且相互平行的第一沟槽栅和第二沟槽栅；具有第二导电类型的阱区，形成于第一沟槽栅和第二沟槽栅之间的衬底表面；具有第一导电类型的源区，形成于阱区表面；连接源区的接触结构；接触结构在衬底表面的投影位于第一沟槽栅和第二沟槽栅在衬底表面的投影之间，且分别具有不同的第一间距的第二间距。本发明设置与接触结构具有不同间距的第一沟槽栅和第二沟槽栅，通过计算其与标准量测阈值电压的差值，得到标准阈值电压对应的套刻对准值，通过电性测试方法测量套刻偏差，相比光刻套刻量测具有更高的精度，也有助于器件仿真设计及工艺规格的设定。
主权项：1.一种功率器件套刻偏差电性测量结构，其特征在于，包括：具有第一导电类型的衬底；形成于所述衬底中的第一沟槽栅和第二沟槽栅，所述第一沟槽栅和所述第二沟槽栅相互平行；具有第二导电类型的阱区，其形成于所述衬底位于所述第一沟槽栅和所述第二沟槽栅之间的表面区域；具有第一导电类型的源区，其形成于所述阱区的表面区域；形成于所述衬底上的接触结构，其连接所述源区；所述接触结构在所述衬底表面的投影位于所述第一沟槽栅和所述第二沟槽栅在所述衬底表面的投影之间；所述接触结构与所述第一沟槽栅在所述衬底表面的投影具有第一间距；所述接触结构与所述第二沟槽栅在所述衬底表面的投影具有不同于所述第一间距的第二间距；电性连接所述第一沟槽栅的第一测试电极；电性连接所述第二沟槽栅的第二测试电极；电性连接所述接触结构的第三测试电极；电性连接所述衬底的第四测试电极，用于通过电性测量表征所述接触结构的套刻偏差。
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