龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
摘要：本发明提供一种套刻误差测量方法、半导体工艺方法和半导体结构，测量方法包括：提供待测量结构，包括下层结构层、中间结构层和上层结构层；下层结构层包含填充有第一材料的第一孔洞；上层结构层包括填充有光刻层的沟槽，光刻层包括曝光显影形成的第二孔洞；三层结构层分别设置有对应的套刻标记；根据套刻标记对三层结构层对应套刻坐标的位置同时曝光成像得到相邻结构层之间的套刻误差。本发明通过对三层结构的同一套刻坐标同时成像得到套刻图形，省去两次测量相邻套刻图形需要转移定位的延迟时间，提高工艺效率；同时减少由于两次测量不同套刻坐标的套刻图形所引入的变量对套刻误差产生的干扰，有利于提高产品良率。
主权项：1.一种套刻误差测量方法，其特征在于，所述套刻误差测量方法包括：提供待测量结构，所述待测量结构从下到上依次包括下层结构层、中间结构层和上层结构层，所述下层结构层包含第一孔洞，所述第一孔洞内填充有第一材料，所述上层结构层包括沟槽，所述沟槽内填充有光刻层，所述光刻层包括曝光显影形成的第二孔洞，所述第二孔洞位于与所述第一孔洞对应的位置，所述第二孔洞贯穿所述光刻层显露出部分所述中间结构层；所述待测量结构有预设的套刻坐标；所述套刻坐标与待测量的所述第二孔洞的预设位置对应设置；所述下层结构层上对应所述套刻坐标的位置设置有第一套刻标记，所述光刻层上对应所述套刻坐标的位置设置有第二套刻标记，所述上层结构层上对应所述套刻坐标的位置设置有第三套刻标记；根据所述第一套刻标记、所述第二套刻标记或所述第三套刻标记中的任意一个确定所述套刻坐标的位置，根据所述第一套刻标记、所述第二套刻标记和所述第三套刻标记确认所述下层结构层、所述光刻层和所述上层结构层，对所述套刻坐标对应位置的所述下层结构层、所述光刻层和所述上层结构层进行同时曝光成像得到一个共同套刻图形；在所述共同套刻图形中，所述下层结构层的所述第一孔洞和所述光刻层待测量的所述第二孔洞对应的图形轮廓间距为第一套刻误差，所述光刻层待测量的所述第二孔洞和所述上层结构层的所述沟槽对应的图形轮廓间距为第二套刻误差；处理曝光成像得到的所述共同套刻图形中的成像信息，得到所述第一套刻误差和所述第二套刻误差。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 重庆芯联微电子有限公司 一种套刻误差测量方法、半导体工艺方法和半导体结构
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号