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摘要：本发明涉及晶体生长技术领域，具体涉及一种晶体生长工艺、晶体生长用气氛控制系统及控制方法，该气氛控制系统包括抽气系统、充气系统和真空系统；抽气系统、充气系统分别通过真空管道和充气管路与真空系统相连通；其中，真空系统包括通过气流管路相连通的波纹管、压力管、真空测量装置；真空系统通过石墨管与坩埚相互连通；真空系统与石墨管的连接处设置有密封装置。该气氛控制系统可以直接调控坩埚内部的压力，并在晶体生长过程中，向坩埚内部输送晶体生长所需气氛；解决了现有技术中存在的坩埚内部的压力不稳定以及晶体生长所需气氛中的碳硅比不匹配，而导致SiC晶体中产生碳包裹以及晶锭的厚度较小的问题。
主权项：1.一种晶体生长用气氛控制系统，包括：抽气系统（6）、充气系统（7）、真空系统（5）；所述抽气系统（6）、充气系统（7）分别通过真空管道（64）和充气管路（75）与真空系统（5）相连通；其特征在于，所述真空系统（5）通过石墨管（22）与设置在保温腔室（10）内部的坩埚（2）相互连通；所述真空系统（5）与所述石墨管（22）的连接处设置有具有耐高温性能的密封装置（4）；所述保温腔室（10）与外层真空系统（1）相连通，用于调整所述保温腔室（10）内部的真空度；所述坩埚（2）上设置有坩埚上盖（23），坩埚上盖（23）与所述坩埚（2）相互配合使所述坩埚（2）处于密封状态；所述坩埚（2）、所述坩埚上盖（23）的外侧面均镀有金属碳化物涂层，所述石墨管（22）上镀有金属碳化物涂层，使所述坩埚（2）内部，以及坩埚（2）外部的保温腔室（10）内部形成两个独立的空间。
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