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摘要：本发明公开了一种助熔剂法生长GaN单晶的搅拌装置、生长设备以及生长方法，其中搅拌装置包括固定架、转轴、旋转传动组件以及装载有熔体的反应釜；转轴连接有驱动件，驱动件用于驱动转轴绕其自身轴线旋转，转轴的外侧连接有至少一个第一传动轴，反应釜转动连接于第一传动轴上，并且反应釜上开设有用于供氮气输入的进气通道，固定架围绕转轴设置，并且反应釜通过旋转传动组件与固定架连接；驱动件驱动转轴旋转时，反应釜绕转轴的轴线进行公转，并且，反应釜通过旋转传动组件绕其自身轴线进行自转。通过上述设计，能够有效解决现有生长GaN单晶的搅拌装置的搅拌效果较差，导致N离子的解离速度较低，无法有效使N离子均匀分布于熔体中的技术问题。
主权项：1.一种助熔剂法生长GaN单晶的搅拌装置，其特征在于，包括固定架（4）、转轴（2）、旋转传动组件以及装载有熔体（32）的反应釜（3）；所述转轴（2）连接有驱动件，所述驱动件用于驱动所述转轴（2）绕其自身轴线旋转，所述转轴（2）的外侧连接有至少一个第一传动轴（21），所述反应釜（3）转动连接于所述第一传动轴（21）上，并且所述反应釜（3）上开设有用于供氮气（12）输入的进气通道（31），所述固定架（4）围绕所述转轴（2）设置，并且所述反应釜（3）通过所述旋转传动组件与所述固定架（4）连接；所述驱动件驱动所述转轴（2）旋转时，所述反应釜（3）绕所述转轴（2）的轴线进行公转，并且，所述反应釜（3）通过所述旋转传动组件绕其自身轴线进行自转。
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百度查询： 北京大学东莞光电研究院 一种助熔剂法生长GaN单晶的搅拌装置、生长设备以及生长方法
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