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摘要：本发明涉及一种基于C掺杂电流扩展层的GaN基发光二极管及其制备方法，方法包括：在蓝宝石衬底层上生长AlN成核层；在AlN成核层上生长U型GaN层；在U型GaN层上生长第一层n型GaN层；在第一层n型GaN层上生长第二层C掺杂GaN层；在第二层C掺杂GaN层上生长第三层n型GaN层；在第三层n型GaN层上生长多量子阱结构；在多量子阱结构上生长p型GaN层；刻蚀n型电极接触区，以暴露第一层n型GaN层；在n型电极接触区的第一层n型GaN层上沉积n型电极和在p型GaN层上沉积p型电极，以完成GaN基发光二极管的制作。本发明提出一种基于C掺杂的GaN基发光二极管的制备方法，用掺C的GaN层作为电流扩展层，提高LED的性能和可靠性，方法简单，无需引入额外生长源和工艺步骤。

主权项：1.一种基于C掺杂电流扩展层的GaN基发光二极管的制备方法，其特征在于，所述GaN基发光二极管的制备方法包括：选取蓝宝石衬底层；在所述蓝宝石衬底层上生长AlN成核层；在所述AlN成核层上生长U型GaN层；在所述U型GaN层上生长第一层n型GaN层；在所述第一层n型GaN层上生长第二层C掺杂GaN层；在所述第二层C掺杂GaN层上生长第三层n型GaN层，所述第一层n型GaN层、所述第二层C掺杂GaN层和所述第三层n型GaN层组成三层结构的n型GaN层；在所述第三层n型GaN层上生长多量子阱结构，所述多量子阱结构包括若干周期的量子阱，所述量子阱包括InxGa1-xN阱层和位于所述InxGa1-xN阱层上的GaN势垒层；在所述多量子阱结构上生长p型GaN层；刻蚀n型电极接触区，以暴露第一层n型GaN层；在所述n型电极接触区的第一层n型GaN层上沉积n型电极和在p型GaN层上沉积p型电极，以完成GaN基发光二极管的制作，其中，在所述U型GaN层上生长第一层n型GaN层，包括：通入氨气、镓源和硅源，在第一温度条件下，采用MOCVD工艺在所述U型GaN层上生长所述第一层n型GaN层；在所述第一层n型GaN层上生长第二层C掺杂GaN层，包括：关闭硅源，保持氨气、镓源的流量不变，在第二温度条件下，采用MOCVD工艺在所述第一层n型GaN层上生长第二层C掺杂GaN层，其中，所述第二温度低于所述第一温度；在所述第二层C掺杂GaN层上生长第三层n型GaN层，包括：通入硅源，保持氨气、镓源的流量不变，在第一温度条件下，采用MOCVD工艺在所述第二层C掺杂GaN层上生长第三层n型GaN层。

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