买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

摘要：本发明属于功率器件开关速度测量技术领域，具体公开了一种GaN器件开关速度的评估方法及系统，方法包括：搭建GaN十六参数小信号模型，计算得到GaN十六参数小信号模型中的各个参数值；构建Angelov模型，基于GaN器件的转移特性曲线、输出特性曲线以及GaN十六参数小信号模型中的各个参数值，拟合得到Angelov模型中各参数的值；将Angelov模型输入到SDD模型，得到GaN器件大信号模型；搭建开关电路模型，将GaN器件大信号模型作为开关电路中的开关管；获取所述开关电路的输出波形，基于所述输出波形评估GaN器件的开关速度。本发明可以在搭建的开关电路中仿真得到该GaN器件的开关速度，简便易操作且成本低。

主权项：1.一种GaN器件开关速度的评估方法，其特征在于，包括：分别测量得到GaN器件的转移特性曲线、输出特性曲线以及GaN器件在不同工作电压和频率下的S参数；搭建GaN十六参数小信号模型，基于GaN器件在不同工作电压和频率下的S参数，计算得到GaN十六参数小信号模型中的各个参数值；构建Angelov模型，基于GaN器件的转移特性曲线、输出特性曲线以及GaN十六参数小信号模型中的各个参数值，拟合得到Angelov模型中各参数的值；搭建SDD模型，将Angelov模型输入到SDD模型，得到GaN器件大信号模型；搭建开关电路模型，将GaN器件大信号模型作为开关电路中的开关管；获取所述开关电路的输出波形，基于所述输出波形评估GaN器件的开关速度；所述GaN十六参数小信号模型具体包括：栅极和源极之间的寄生电容Cgs、栅极和漏极之间的寄生电容Cgd、漏极和源极之间的寄生电容Cds、栅极和源极之间焊盘的寄生电容Cpgs、漏源之间焊盘的寄生电容Cpds、栅漏之间焊盘的寄生电容Cpgd、栅极处的寄生电感Lg、源极处的寄生电感Ls、漏极处的寄生电感Ld、栅源极处的寄生电阻Rs、栅漏极处的寄生电阻Rd、栅极下的寄生电阻Rg、栅下靠近源端的电阻Ri，栅漏电阻Rgd，衬底电流相关的输出电导g0和受控电流源在内的十六个元件组成的模拟电路模型；基于GaN器件在不同工作电压和频率下的S参数，计算得到GaN十六参数小信号模型中的各个参数值，具体为：将S参数转换为Z参数；基于S参数和Z参数计算得到Y参数；通过对角频率ω与Y参数虚部拟合得到寄生电容Cpgs、寄生电容Cpds和寄生电容Cpgd的值；通过对角频率ω与Z参数虚部拟合得到寄生电感Lg、寄生电感Ls和寄生电感Ld的值；分别利用Z参数和Y参数计算得到寄生电阻Rs、寄生电阻Rd、寄生电阻Rg、寄生电容Cgs、寄生电容Cgd、寄生电容Cds、电阻Ri、电阻Rgd、电导g0和受控电流源的值；其中，将S参数转换为Z参数，具体为： ； ； ； ；基于S参数和Z参数计算得到Y参数，具体为： ；；；；其中，、、、均为GaN器件在设定的电压和频率下的S参数；对于寄生电阻Rs、寄生电阻Rd和寄生电阻Rg，具体计算过程为： ； ； ；其中，为中间频率，表示中间频率为时参数的实部；对于寄生电容Cgs、寄生电容Cgd、寄生电容Cds、电阻Ri、电阻Rgd和电导g0，具体计算方法为： ； ； ； ； ； ； ； ；其中，为器件跨导，为时间延迟，和共同表示源漏电压调控的受控电流源；构建Angelov模型，具体如下：Angelov模型包括I-V模型和C-V模型；所述I-V模型具体为： ； ；其中，为器件输出的漏源电流，为器件跨导最大时的电流，为漏源电压，、、、、、均为常数，为栅源电压，为跨导最大时的栅源电压；为计算值；所述C-V模型具体为： ； ；其中，Cgs0与Cgd0分别为Vds=Vgs=0时的栅源电容与栅漏电容；、、、、、、、、、均为常数。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 芯梦达半导体科技(济南)有限公司 一种GaN器件开关速度的评估方法及系统