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摘要：本实用新型提供了一种功率开关器件，通过在第一导电类型漂移区中设置器件沟槽结构，同时在第一导电类型漂移区上设置PN结边缘终端结构，器件沟槽结构中的多晶硅层和PN结边缘终端结构中的PN结相对应设置，且多晶硅层与相对应的PN结通过电连接层实现电连接，以通过所述PN结边缘终端结构中的PN结的电势来确定器件沟槽结构中的每个多晶硅层的电势，可以减小器件沟槽结构中的多晶硅层的面积，进而可以降低功率开关器件的尺寸，并可以降低其成本。
主权项：1.一种功率开关器件，其特征在于，包括：第一金属层；半导体衬底，位于所述第一金属层上；第一导电类型漂移区，位于所述半导体衬底上；至少一个器件沟槽结构，间隔设置在所述第一导电类型漂移区中；多个多晶硅层，沿着垂直于所述半导体衬底方向间隔设置在每个所述器件沟槽结构中；隔离氧化层，位于相邻的所述多晶硅层之间以及所述多晶硅层与所述器件沟槽结构之间；PN结边缘终端结构，环绕所有的器件沟槽结构设置在所述第一导电类型漂移区上，所述PN结边缘终端结构包括与所述器件沟槽结构中的多晶硅层相对应的PN结；电连接层，位于所述器件沟槽结构中的多晶硅层与相对应的所述PN结之间，以实现所述器件沟槽结构中的多晶硅层与相对应的所述PN结之间的电连接；第二金属层，位于每个所述器件沟槽结构中的顶部的多晶硅层上。
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百度查询： 上海溪赛德微电子有限公司 功率开关器件
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