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摘要：提供了一种垂直存储器件，其包括：在衬底上的栅电极，栅电极在垂直于衬底的上表面的第一方向上间隔开并以阶梯布置堆叠；沟道，在第一方向上延伸穿过栅电极；第一接触插塞，延伸穿过栅电极中的第一栅电极的垫以接触第一栅电极的上表面，第一接触插塞延伸穿过栅电极中的第二栅电极的一部分，并且第二栅电极与第一栅电极相邻；第一间隔物，在第一接触插塞与第一栅电极和第二栅电极的面对第一接触插塞的侧壁之间，第一间隔物使第一接触插塞与第二栅电极电绝缘；以及第一掩埋图案，接触第一接触插塞和第一间隔物的底表面，第一掩埋图案包括绝缘材料。
主权项：1.一种垂直存储器件，包括：衬底；在所述衬底上的栅电极，所述栅电极在基本上垂直于所述衬底的上表面的第一方向上彼此间隔开，并且所述栅电极以阶梯布置堆叠；沟道，在所述第一方向上延伸穿过所述栅电极；至少一个第一接触插塞，延伸穿过所述栅电极之中的第一栅电极的垫以接触所述第一栅电极的上表面，所述至少一个第一接触插塞延伸穿过所述栅电极之中的第二栅电极的至少一部分，并且所述第二栅电极与所述第一栅电极相邻，使得所述第二栅电极是在所述第一方向上在所述第一栅电极下方的下一个最近的栅电极；第一间隔物，在所述至少一个第一接触插塞与所述第一栅电极和所述第二栅电极的面对所述至少一个第一接触插塞的侧壁之间，所述第一间隔物使所述至少一个第一接触插塞与所述第二栅电极电绝缘；以及第一掩埋图案，接触所述至少一个第一接触插塞和所述第一间隔物的底表面，所述第一掩埋图案包括绝缘材料。
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