龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
摘要：本实用新型提供了一种功率开关器件结构，其包括：漏极金属层；半导体衬底，位于漏极金属层上；第一导电类型漂移区，位于半导体衬底上；沟槽结构，位于第一导电类型漂移区中；至少两个多晶硅层，沿着垂直于半导体衬底方向间隔设置在沟槽结构中；隔离氧化层，位于相邻的多晶硅层之间、底部的多晶硅层与沟槽结构的底表面之间以及沟槽结构的侧壁上；源极金属层，位于多晶硅层上。本实用新型通过沟槽结构中的多个多晶硅层以及隔离氧化层的设置可以获得高阻断电压和低比导通电阻的功率开关器件结构。
主权项：1.一种功率开关器件结构，其特征在于，包括：漏极金属层；半导体衬底，位于所述漏极金属层上；第一导电类型漂移区，位于所述半导体衬底上；沟槽结构，位于所述第一导电类型漂移区中；至少两个多晶硅层，沿着垂直于所述半导体衬底方向间隔设置在所述沟槽结构中；隔离氧化层，位于相邻的所述多晶硅层之间、底部的所述多晶硅层与所述沟槽结构的底表面之间以及所述沟槽结构的侧壁上；源极金属层，位于所述多晶硅层上。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海溪赛德微电子有限公司 功率开关器件结构
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号