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摘要：本发明公开了一种GaN基HEMT中低阻值欧姆接触电极的制备方法，包括：在氮化镓GaN异质结外延材料上光刻出源电极和漏电极欧姆区域；淀积镍金属薄层；进行退火，形成镍金属小球；以镍金属小球为掩膜，采用干法刻蚀至二维电子气沟道以下，形成纳米凹槽阵列；酸洗去除镍金属小球；淀积无Au欧姆接触金属，进行退火，退火后的纳米金属柱体侧壁与二维电子气沟道直接接触形成欧姆接触，从而形成源电极和漏电极；本发明能够增大GaNHEMT中源电极和漏电极的金属电极与二维电子气沟道接触的面积，实现与SiCMOS工艺兼容的无Au源电极和漏电极欧姆接触，有效降低了欧姆接触电阻，提高了氮化镓HEMT器件的性能，降低了工艺成本，且工艺简单、易于实现、效果突出。
主权项：1.一种GaN基HEMT中低阻值欧姆接触电极的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：S1：在氮化镓异质结外延材料上进行光刻，形成源电极70和漏电极90欧姆接触区域；S2：在步骤S1形成的源电极70和漏电极90欧姆接触区域淀积镍金属薄层；S3：进行退火，步骤S2淀积的镍金属薄层在退火后形成纳米镍金属小球；S4：采用干法刻蚀工艺，以步骤S3形成的镍金属小球为掩膜刻蚀氮化镓异质结外延材料至二维电子气沟道以下，刻蚀深度至沟道层30以下1～100nm，形成纳米凹槽阵列；S5：在步骤S4形成的纳米凹槽阵列中淀积源电极70和漏电极90的欧姆接触金属，形成源漏欧姆金属纳米柱；S6：氮气氛围下进行退火，步骤S5淀积的欧姆接触金属与三族氮化物反应产生大量氮空位，形成N型重掺杂区域，欧姆接触金属纳米柱侧壁和二维电子气沟道直接接触与N型重掺杂区域一起形成欧姆接触电极。
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