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摘要：本申请涉及一种背接触太阳能电池的制备方法，通过在第一极性区和第二极性区分别设置第一掩膜层和第二掩膜层，然后在第一极性区和第二极性区的交界处进行不同程度的掩膜层损伤。由于第一掩膜层的第一区域完全去除，第二掩膜层的第二区域沿层叠方向的部分去除，因此在刻蚀第一极性区和第二极性区的过程中，第一极性区对应第一区域的位置会被完全刻蚀，从而形成隔离区；剩余的第二掩膜层会起到阻挡作用，使得第二极性区对应第二区域的位置不会被完全刻蚀，因而第二极性区不会形成隔离区。也即，只在第一极性区的边缘部分形成了隔离区，不仅解决了漏电和短路问题；而且大幅缩窄了隔离区的宽度，有利于载流子收集，从而提升光电转换效率。
主权项：1.一种背接触太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述背接触太阳能电池的制备方法包括以下步骤：在半导体衬底110的背光面制备间隔排列且极性相反的第一极性区120和第二极性区130；在所述第一极性区120远离所述半导体衬底110的一侧制备第一掩膜层140；在所述第二极性区130远离所述半导体衬底110的一侧制备第二掩膜层150；去除所述第一掩膜层140的第一区域141，以暴露所述第一极性区120对应所述第一区域141远离所述半导体衬底110的一侧表面；并沿层叠方向去除所述第二掩膜层150的部分第二区域151，且未暴露所述第二极性区130对应所述第二区域151远离所述半导体衬底110的一侧表面；所述第一区域141和所述第二区域151位于所述第一极性区120和所述第二极性区130的交界处；所述层叠方向即为所述半导体衬底110和所述第一极性区120的分布方向；在所述第一极性区120对应所述第一区域141的位置形成隔离区160。
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百度查询： 天合光能股份有限公司 背接触太阳能电池的制备方法
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